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长鑫存储取得硅通孔容错电路专利,可降低三维集成电路芯片的失效率

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转自:金融界

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金融界2023年12月1日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“硅通孔容错电路及方法、集成电路“的专利,授权公告号CN109037192B,申请日期为2018年8月。

专利摘要显示,本发明公开了一种硅通孔容错电路及方法、集成电路,涉及集成电路技术领域。该硅通孔容错电路包括:工作硅通孔;备用硅通孔;容错控制模块,分别与工作硅通孔和备用硅通孔相连接;解码器,与容错控制模块连接;其中,容错控制模块基于解码器的工作硅通孔的位置编码断开工作硅通孔以及开通备用硅通孔。本公开可以降低基于硅通孔的三维集成电路芯片的失效率。

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